[반도체 기초] 메모리, 비메모리와 공정의 순서

 

[메모리 반도체]

 

Mobile 산업의 시장성이 커지게 되고, 그에 맞는 반도체 들의 개발이 이루어 지고 있다.

Mobile 제품의 특징과 그에 따른 반도체 부품의 요구사항

 

1. Thin & Small size = 부품 Size 감소(Area)

2. 충전식 배터리 사용 = 저전력 소모( Power)

3. 제품 성능 향상 = 성능 향상(Perferomane)

4. 교체 주기 단축 = 기술 발전 기간 단축

 

AP/Modem: CPU, GPU 통신(Ex 5-CA giga bps)설계를 하고 10nm FinFET 제품 공정, POP 패키지구조를 가진다. 작고, 효율적으로 공간을 활용하여 칩의 크기를 줄일 수 있다.

*System on chip : 이 칩을 만드는 것이 시스템 공정, CMOS Logic

 

Flash Memory: UFS NAND, 64GB, MLC

1. 소자 & 공정 : NAND(대세) , NOR, MLC(Cell type SLC, MLC, TLC)

2. Solution & PKG : UFS(Universal Flash Storage-카메라, 휴대전화, 전자제품을 위한 메모리) , 64GB – Multi chip Package.

 

DRAM-LPDDR4 SDRAM, 4GB, PoP

1) 소자 & 설계 : LP(Low power, Mobile DRAM), DDR4 SDRAM(DRAM Type)

2) 공정 : 20nm급 / 10nm급 공정

3) PKG : 4GB PoP(PKG on PKG)-DRAM Package

 

 

메모리와 비메모리 반도체 분류

대 분류		소분류	기능	핵심기술
메 모 리	DRAM	Non Mobile	PC/Server 보조기억장치	수율, Speed
		Mobile	Mobile 기기 보조기억장치	Low Power 동작
	Flash	NAND	Data/SW저장	고용량&고집적, Cell 간섭 최소화
		NOR		중요도 낮음
비메모리 반도체		AP Application processor	CPU/GPU	Speed, Power(Leakage, 발열)
		Modem	통신(RF/Baseband)	무선통신, Noise, SW안정성
		Connectivity	통신(Bluetooth/WIFI)
		DDI Display Manage IC	Display Data 제어
		PMCI Power Manage IC	DC 전원 공급	Power 변환 효율
		NFC Near Field Com	근거리 통신
		CIS CMOS Image Sensor	Camera용	Cell 특성[화질]
		지문인식, Bio, 센서(MEMS)

*시스템 반도체: AP, Modem, Connectivity *LSI(Large scale integrated circuit) : DDI ~ MEMS

 

메모리와 시스템 반도체 비교

 

메모리 반도체	시스템 반도체	설명
생산기술 지향 [공정기술 중심]	설계기술 지향 [설계 중심]	수율 VS 성능
선행 기술 개발 중요 [신공정기술투자]	우수 설계역량 확보 중요 [새로운 설계 아이디어]	공정 VS 설계
소품종 대량생산	다품종 소량생산
대기업형 사업구조	중소/벤처형 사업구조
높은 위험 부담 [공정개발 비용 부담]	상대적 낮은 위험 부담	투자비 규모
참여 업체 제한 적	다양한 참여업체 (Fabless)

 

공정의 구성

 

*설비 -> 단위공정 -> Mask Layer -> Tech Node -> 제품별 공정으로 상위 개념

*Mask Layer : 공정에 필요한 Mask 수, Layer : 여러 공정이 이루어지는 한 세트

*PI : 제품 측면에서 레이어 별로 이해하고 수율이나 품질을 보는 큰 직무(제조공정)